现代SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号
一、DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X   X    X    X    X — XX   X
1   2   3 4   5   6 7 8   9   10   11 12 — 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V； W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。
二、DDR2 SDRAM：
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用，并将很快成为主机内存设备的产品，现在在市场中还并不多见，但对于下半年，以至于未来几年内存市场的主打型号，消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况，由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来，所以，只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解，那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。
HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X   X    X    X    X — XX   X
1   2   3 4   5   6 7 8   9   10   11 12 — 13 14
现代DDR2 SDRAM的颗粒编号，实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略，而其他位编号的定义基本保持不变，只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性，增加了一些新的含义。
颗粒编号解释如下：（这里只对存在区别的部分加以说明）
2．内存芯片类型：（5P=DDR2 SDRAM）
3．处理工艺及供电：（仅有S一种，对应参数为：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4．芯片容量密度和刷新速度：（保留28、56、 12、1G四种编号；新增2G：2G 8K刷新）
7．接口类型：（保留2=SSTL_2；而SSTL_18则变为1表示）
10．封装类型：（F＝FBGA；S＝FBGA Stack封装；M＝FBGA DDP(Dual Die Package)）
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13．速度：（S7=DDR2-800 7-7-7；S6=DDR2-800 6-6-6；Y6=DDR2-667 6-6-6；Y5=DDR2-667 5-5-5；C5=DDR2-533 5-5-5；C4=DDR2-533 4-4-4；C3=DDR2-533 3-3-3；E4=DDR2-400 4-4-4；E3=DDR2-400 3-3-3）算下来，有变化的部分，大概有7位，基本上都是因为技术更新，而简略了旧的规格代码，加入了新的代码定义。其中，最值得大家注意的，还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号，进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母，分别代表DDR2的四种工作频率，依次是：800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字，显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。
三、SDRAM：
现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品，因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“－”后面的一位或两位数字，就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定，分如下几种：
5   200MHz
55 183MHz
6 166MHz
7   143MHz
K   PC133,CL=2
H   PC133,CL=3
8   125MHz
P PC100,CL=2
S PC100,CL=3
10 100MHz
一般在市场中，我们最常见到编号尾数为“H”的产品，即PC133且CL=3的产品。